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W66BP6NBUAFJ TR_集成電路（IC） 存儲器-Winbond Electronics

訂購數(shù)量 價格
2500+
  • 廠家型號：

    W66BP6NBUAFJ TR

  • 制造商：

    Winbond Electronics

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    200-WFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-16 11:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號：W66BP6NBUAFJ TR品牌：Winbond Electronics

資料說明：2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1

W66BP6NBUAFJ TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Winbond Electronics生產(chǎn)封裝200-WFBGA的W66BP6NBUAFJ TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    w66bp6nbuafj%20tr

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    W66BP6NBUAFJ TR

  • 制造商：

    Winbond Electronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - Mobile LPDDR4

  • 存儲容量：

    2Gb（128M x 16）

  • 存儲器接口：

    LVSTL_11

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    18ns

  • 電壓 - 供電：

    1.06V ~ 1.17V，1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 105°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    200-WFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    200-WFBGA（10x14.5）

  • 描述：

    2GB LPDDR4, X16, 1600MHZ, -40C~1

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
24+
N/A
70000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
 詢價
Winbond Electronics
23+/24+
200-WFBGA
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
華邦
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
 詢價
WINBAND
23+
BGA
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
WINBAND
23+
BGA
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
 詢價
WINBAND
19+
BGA
6
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
WINBAND
23+
原裝正品現(xiàn)貨
10000
BGA
 詢價
Winbond Electronics
24+
200-WFBGA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
WINBOND ELECTRONICS
22+
SMD
518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
 詢價

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