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W947D2HBJX5E TR_集成電路（IC） 存儲器-Winbond Electronics

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2500+
  • 廠家型號：

    W947D2HBJX5E TR

  • 制造商：

    Winbond Electronics

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    90-TFBGA

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2024-11-6 8:12:00

  • 詳細信息
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原廠料號：W947D2HBJX5E TR品牌：Winbond Electronics

資料說明：IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

W947D2HBJX5E TR是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Winbond Electronics生產(chǎn)封裝90-TFBGA的W947D2HBJX5E TR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    w947d2hbjx5e%20tr

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    W947D2HBJX5E TR

  • 制造商：

    Winbond Electronics

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術(shù)：

    SDRAM - 移動 LPDDR

  • 存儲容量：

    128Mb（4M x 32）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -25°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    90-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    90-VFBGA（8x13）

  • 描述：

    IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Winbond Electronics
21+
24-TBGA
5280
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
 詢價
Winbond Electronics
21+
90-VFBGA(8x13)
56200
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WINBOND(華邦)
2117+
VFBGA-90(8x13)
315000
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WINBOND(華邦)
2021+
VFBGA-90(8x13)
499
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華邦
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
 詢價
Winbond Electronics
22+
90VFBGA (8x13)
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價
Winbond Electronics
21+
90VFBGA (8x13)
13880
公司只售原裝,支持實單
 詢價
Winbond Electronics
23+
90VFBGA (8x13)
9000
原裝正品，支持實單
 詢價

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