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WFU1N60N中文資料穩(wěn)先微電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

WFU1N60N
廠商型號(hào)

WFU1N60N

功能描述

Silicon N-Channel MOSFET

文件大小

594.5 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Winsemi穩(wěn)先微電子

中文名稱

深圳市穩(wěn)先微電子有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-12-24 22:58:00

WFU1N60N規(guī)格書詳情

General Description

This Power MOSFET is produced using Winsemi’s advanced planar stripe, VDMOS technology. This latest technology has been especially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics. This devices is specially well suited for high efficiency switch mode power supply. electronic Lamp ballasts based on half bridge and UPS.

Features

■ 1A,600V, RDS(on)(Max 15.0Ω)@VGS=10V

■ Ultra-low Gate Charge(Typical 6.1nC)

■ Fast Switching Capability

■ 100Avalanche Tested

■ Maximum Junction Temperature Range(150℃)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    WFU1N60N

  • 制造商:

    WINSEMI

  • 制造商全稱:

    WINSEMI

  • 功能描述:

    Silicon N-Channel MOSFET

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