WFW13N50中文資料穩(wěn)先微電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
WFW13N50 |
| 功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET |
| 文件大小 |
567.76 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
7 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Shenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Winsemi【穩(wěn)先微電子】 |
| 中文名稱 | 深圳市穩(wěn)先微電子有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-19 10:53:00 |
| 人工找貨 | WFW13N50價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
WFW13N50規(guī)格書(shū)詳情
General Description
This Power MOSFET is produced using Winsemis advancedplanar stripe,DMOS technology.This latest technology has beenespecially designed to minimize on-state resistance, have a high rugged avalanche characteristics .This devices is specially wellsuited for high efficiencyswitch model power supplies, power factor correction and half bridge and full bridge resonant topology line a electronic lamp ballast.
Features
■ 13A,500V, RDS(on)(Max0.46?)@VGS=10V
■ Ultra-low Gate charge(Typical 43nC)
■ Fast Switching Capability
■ 100Avalanche Tested
■ Maximum Junction Temperature Range(150℃ )
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
WISDOM |
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TO-247 |
29897 |
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