WG50N65DHWQ_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-瑞能半導(dǎo)體

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原廠料號:WG50N65DHWQ品牌:WeEn Semiconductors

資料說明:IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

WG50N65DHWQ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商WEEN/瑞能半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-247-3的WG50N65DHWQ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    wg50n65dhwq

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    WEEN【瑞能半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    WeEn Semiconductors

  • 中文名稱:

    瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司

  • 資料說明:

    IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    WG50N65DHWQ

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    1.7mJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    66ns/163ns

  • 測試條件:

    400V,50A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
WeEn Semiconductors
24+
TO-247-3
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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WEEN
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64800
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