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X28HC256SZ-12

LOW POWER CMOS EEPROM with hi-speed page write capability 256K EEPROM

TheX28HC256isasecondgenerationhighperformanceCMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’sproprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providingahighlyreliable5Vonlynonvolatilememory.TheX28HC256supportsa128-bytepagewriteoperation,effectivelyprovidinga24μ

ROCHESTERRochester Electronics

羅切斯特羅切斯特電子公司

X28HC256SZ-12

256k, 32k x 8-Bit, 5V, Byte Alterable EEPROM

TheX28HC256isasecondgenerationhighperformance CMOS32kx8EEPROM.ItisfabricatedwithIntersil’s proprietary,texturedpolyfloatinggatetechnology,providinga highlyreliable5Vonlynonvolatilememory. TheX28HC256supportsa128-bytepagewriteoperation, effectivelyproviding

Intersil

Intersil Corporation

X28HC256SZ-12

256k, 32k x 8-Bit, 5V, Byte Alterable EEPROM

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

X28HC256SZ-12

5V, Byte Alterable EEPROM

Intersil

Intersil Corporation

X28HC256SZ-12

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    X28HC256SZ-12

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    EEPROM

  • 技術(shù)：

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量：

    256Kb（32K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    5ms

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    28-SOIC

  • 描述：

    IC EEPROM 256KBIT 120NS 28SOIC

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩電子)
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萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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原裝正品，支持實(shí)單
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更多X28HC256SZ-12供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 15:00:00

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