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BFP740	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.3682 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
BFP740ESD	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740ESD	文件：1.55917 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：157.87 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainultralownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformancefor awiderangeofwirelessapplications upto10GHzandmore ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz Outstandingnoise	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFP740FESD	文件：1.93887 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP740FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.2VandcurrentsuptoIC=45mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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