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XAM2612AOFFHIZFG	文件：4.76483 Mbytes Page：101 Pages	AM261x Sitara? Microcontrollers 1Features ProcessorCores: ?SingleandDualArm?Cortex?R5FCPUwitheach corerunningupto500MHz –16KBI-Cachewith64-bitECCperCPUcore –16KBD-cachewith32-bitECCperCPUcore –256KBTightlyCoupledMemory(TCM)per core,with32-bitECC –LocksteporDualcoreoperations	TITexas Instruments 德州儀器美國(guó)德州儀器公司	TI
2612	文件：47.75 Kbytes Page：2 Pages	BandpassFilter	KR KR Electronics, Inc.	KR
2612	文件：148.28 Kbytes Page：2 Pages	SMDRFManualTunableInductor	YANTELYantel Corporation 研通高頻深圳市研通高頻技術(shù)有限公司	YANTEL
2612B	文件：1.32755 Mbytes Page：35 Pages	2600BSystemSourceMeterSMUInstruments	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中國(guó))有限公司	TEKTRONIX
2612B	文件：2.05776 Mbytes Page：36 Pages	2600BSystemSourceMeter?SMUInstruments KeyFeatures ?Tightlyintegrated,4-quadrantvoltage/current sourceandmeasureinstrumentsofferbestinclass performancewith6?-digitresolution ?Familyofmodelsofferindustry’swidestdynamic range:10Apulseto0.1fAand200Vto100nV ?Built-inwebbrowserbasedsoftwareenabl	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中國(guó))有限公司	TEKTRONIX
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AN2612	文件：1.70116 Mbytes Page：28 Pages	Single5-VDCpowersupply	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
AP2612GY-HF	文件：101.7 Kbytes Page：4 Pages	Capableof1.8VGateDrive,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進(jìn)電子富鼎先進(jìn)電子股份有限公司	A-POWER
DEM2612C	文件：102.93 Kbytes Page：1 Pages	Lowprofile(2.6x2.8mmsquare,1.2mmMax.height).	Toko TOKO, Inc	Toko
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DG2612	文件：162.96 Kbytes Page：7 Pages	Low-Voltage,LowrON,SPDTAudioSwitchwithNegativeSwingCapability	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
DG2612	文件：203.41 Kbytes Page：8 Pages	Low-Voltage,LowRON,SPDTAudioSwitchwithNegativeSwingCapability FEATURES ?Lowvoltageoperation(1.8Vto5.5V) ?Lowon-resistance-RON:1.0Ωat2.7V ?Highbandwidth BENEFITS ?Negativesignalswingcapability ?Shuntswitchtoeliminateswitchingnoise ?SimplifieddesignwithdirectDCcoupling ?SpacesavingSC-89package APPLICATIONS ?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
EC2612	文件：111.13 Kbytes Page：8 Pages	40GHzSuperLowNoisePHEMT Description TheEC2612isbasedona0.15μmgatepseudomorphichighelectronmobilitytransistor(0.15μmPHEMT)technology.Gatewidthis120μmandthe0.15μmT-shapedaluminiumgatefeatureslowresistanceandexcellentreliability.Thedeviceshowsaveryhightransconductancewhichleadsto	UMS United Monolithic Semiconductors	UMS
EC2612	文件：140.18 Kbytes Page：8 Pages	40GHzSuperLowNoisepHEMT	UMS United Monolithic Semiconductors	UMS
FDC2612	文件：201.74 Kbytes Page：5 Pages	200VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON)andfastswitchingspeed. Features ?1.1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDC2612	文件：1.11279 Mbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFET200V,1.5A,0.7 Features Vbs=200V b=1.5A Roson)	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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深圳市祥瑞智科技有限公司	XAM2634BOLFHMZCZQ	TI	22+	NFBGA (ZCZ)	6000	原廠原裝,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!13246658303	詢價(jià)
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更多XAM2612AOFFHIZFG供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:08:00

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