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BSO150N03	文件：224.94 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO150N03MDG	文件：306.08 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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HM150N03D	文件：844.21 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM150N03K	文件：680.6 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
LMAK150N03	文件：756.75 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
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P150N03ZA	文件：1.13554 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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RMW150N03	文件：1.10846 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
UT150N03	文件：262.57 Kbytes Page：7 Pages	150A,30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWER ?DESCRIPTION TheUTCUT150N03usesadvancedtrenchtechnologyand designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcan beusedinawidevarietyofapplications. ?FEATURES TO-220 RDS(ON)≤4.2mΩ@VGS=10V,ID=50A RDS(ON)≤6.0mΩ@VGS=4.5V,ID=40A PDFN5×6 *RDS(ON	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
UTT150N03	文件：193.94 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC

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更多YFW150N03NF供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-22 11:06:00

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