YG855C12R中文資料無(wú)錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
YG855C12R規(guī)格書詳情
FEATURES
·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.
·Low Leakage Current.
·High Current Capability, High Efficiency.
·High Junction Temperature Capability.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
YG855C12R
- 制造商：
FUJI
- 制造商全稱：
Fuji Electric
- 功能描述：
Schottky Barrier Diode
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI/富士電機(jī) |
23+ |
NA/ |
3350 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
TO220F |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價(jià) | ||
FUJI |
13+ |
TO-220 |
100 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FUJI |
22+ |
TO-220F |
8900 |
英瑞芯只做原裝正品!!! |
詢價(jià) | ||
富士通FUJITSU |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
23+ |
TO-220F |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
富士通FUJITSU |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
FUJITSU/富士通 |
22+ |
TO-220F |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
FUJI |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
FUJI |
原廠封裝 |
1000 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) |
