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YG878C10R中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

YG878C10R
廠商型號

YG878C10R

功能描述

Schottky Barrier Rectifier

文件大小

269.2 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 15:00:00

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YG878C10R規(guī)格書詳情

FEATURES

·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure.

·Low Leakage Current.

·High Current Capability, High Efficiency.

·High Junction Temperature Capability.

產品屬性

  • 型號:

    YG878C10R

  • 制造商:

    FUJI

  • 制造商全稱:

    Fuji Electric

  • 功能描述:

    Ultra Low IR Schottky Barrier Diode

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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富士通FUJITSU
22+
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