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30N06

30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

30N06

30Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC30N06isalowvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandexcellentavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedatautomotiveapplicationsinpowersupplies,highe

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

30N06

60V,30AN-CHANNELPOWERMOSFET

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

30N06

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

30N06

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

30N06

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

30N06

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

30N06

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

30N06

60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

GeneralDescription The30N06usesadvancedtrenchtechnologyanddesignto provideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.Itcanbe usedinawidevarietyofapplications. Features VDS=60V,ID=30A RDS(ON),23mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),29mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

30N06.

N-Channel60V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?FastSwitching ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

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更多YR30N06供應商 更新時間2025-2-2 9:00:00

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