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ZC014PG	文件：1.17986 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
014	文件：899.27 Kbytes Page：1 Pages	Fieldreplaceablebearingsandelectronics	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
014A	文件：374.14 Kbytes Page：2 Pages	AluminumorLexancupsavailable	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AEFD014SI	文件：280.38 Kbytes Page：1 Pages	EFD20HIGHFREQUENCYPoETRANSFORMER	ALLIED Allied Components International	ALLIED
AN014	文件：98.78 Kbytes Page：6 Pages	Implement3.3VdualusingAIC1730	AIC AIC Inc.（Advanced Industrial Computer, Inc.）	AIC
ASMDC014F	文件：289.55 Kbytes Page：26 Pages	PolySwitchResettableDevices	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AUIRFL014N	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL014N	文件：221.02 Kbytes Page：11 Pages	LowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AUIRFL014N	文件：416.93 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFL014NTR	文件：219.5 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFL014NTR	文件：416.93 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLL014N	文件：231.61 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLL014N	文件：554.54 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLL014NTR	文件：231.61 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLL014NTR	文件：554.54 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLR014N	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014N	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLR014NTR	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014NTRL	文件：209.42 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLogic-LevelGateDrive Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLR014NTRL	文件：411.28 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET?PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.ThisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpower	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon

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更多ZC014PG供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-17 9:20:00

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