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ZXMN10A08DN8TC中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXMN10A08DN8TC
廠商型號(hào)

ZXMN10A08DN8TC
功能描述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
文件大小

185.41 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 22:58:00
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ZXMN10A08DN8TC規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

? Low on-resistance

? Fast switching speed

? Low threshold

? Low gate drive

? Low profile SOIC package

APPLICATIONS

? DC - DC converters

? Power management functions

? Disconnect switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    ZXMN10A08DN8TC

  • 功能描述：

    MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖：

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1

  • 系列：

    - FET

  • 型：

    2 個(gè) N 溝道（雙） FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    - 功率 -

  • 最大：

    1.4W

  • 安裝類型：

    表面貼裝

  • 封裝/外殼：

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝：

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱：

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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