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ZXMN10A08DN8TC中文資料Zetex數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXMN10A08DN8TC
廠商型號(hào)

ZXMN10A08DN8TC

功能描述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件大小

181.03 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Zetex Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Zetex

中文名稱

Zetex Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 16:30:00

ZXMN10A08DN8TC規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This new generation of TRENCH MOSFETs from Zetex utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.

FEATURES

? Low on-resistance

? Fast switching speed

? Low threshold

? Low gate drive

? Low profile SOIC package

APPLICATIONS

? DC - DC converters

? Power management functions

? Disconnect switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ZXMN10A08DN8TC

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

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