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ZXMN3G32DN8TA中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXMN3G32DN8TA
廠商型號(hào)

ZXMN3G32DN8TA
功能描述

30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
文件大小

450.45 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 22:21:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    ZXMN3G32DN8TA

  • 功能描述：

    MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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