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ZXMP10A18K中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXMP10A18K
廠商型號(hào)

ZXMP10A18K
功能描述

100V DPAK P-channel enhancement mode MOSFET
文件大小

829.14 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 18:51:00
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ZXMP10A18K規(guī)格書詳情

Description

This new generation trench MOSFET from Zetex features a unique structure combining the benefits of low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

Features and Benefits

? Low On-Resistance

? Fast Switching Speed

? Low Threshold

? Low Gate Drive

? DPAK Package

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

? DC-DC Converters

? Power Management Functions

? Disconnect Switches

? Motor Control

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    ZXMP10A18K

  • 功能描述：

    MOSFET P-CHAN 100V DPAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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