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ZXT10N15DE6中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

ZXT10N15DE6
廠商型號

ZXT10N15DE6

參數(shù)屬性

ZXT10N15DE6 封裝/外殼為SOT-23-6;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

功能描述

15V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR

文件大小

242.6 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-18 21:35:00

ZXT10N15DE6規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications.

FEATURES

? Low Equivalent On Resistance

? Extremely Low Saturation Voltage

? hFE characterised up to 12A

? IC=4A Continuous Collector Current

? SOT23-6 package

APPLICATIONS

? DC - DC Converters

? Power Management Functions

? Power switches

? Motor control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    ZXT10N15DE6TC

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    260mV @ 50mA,4A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 3A,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    120MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-23-6

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-6

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 4A SOT23-6

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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公司原裝現(xiàn)貨/支持實單
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