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ZXTD4591E6TC中文資料DIODES數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ZXTD4591E6TC
廠商型號(hào)

ZXTD4591E6TC

功能描述

DUAL 60V NPN/PNP SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORS

文件大小

174.4 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡(jiǎn)稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-28 22:30:00

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ZXTD4591E6TC規(guī)格書詳情

Features

NPN Transistor

? BVCEO > 60V

? IC = 1A Continuous Collector Current

? Low Saturation Voltage (500mV max @ 1A)

? hFE characterised up to 2A

? RSAT = 210m? @1A for a Low Equivalent On-Resistance

PNP Transistor

? BVCEO > -60V

? IC = -1A Continuous Collector Current

? Low Saturation Voltage (-600mV max @ -1A)

? hFE characterised up to 2A

RSAT = 355m? @1A for a Low Equivalent On-Resistance

? Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

? Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

? Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

? MOSFET Gate Driver

? Low Power Motor Drive

? Low Power DC-DC Converters

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    ZXTD4591E6TC

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT Dual 60V NPN/PNP

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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