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PDTC123JMB

Marking：00010111；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k廓, R2 = 47 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA123JMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMH400UNE

Marking：00010111；Package：SOT8001；30 V, N-channel Trench MOSFET

description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Features ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?ElectroStatic

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更多00010111供應商 更新時間2025-2-18 16:05:00

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