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PDTA114EMB

Marking：00011001；Package：SOT883B；PNP resistor-equipped transistor; R1 = 10 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription PNPResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PDTC114EMB Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiastransistors ■

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMH850UPE

Marking：00011001；Package：SOT8001；30 V, P-channel Trench MOSFET

description P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Veryfastswitching ?TrenchMOSFETtechnology ?

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    00011001

  • 制造商：

    SCHURTER

  • 功能描述：

    New

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更多00011001供應(yīng)商 更新時間2025-2-3 16:20:00

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