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BSC012N06NS

Marking：012N06N；Package：TSON-8-3；OptiMOSTM5 Power-Transistor, 60 V

Features ?Optimizedforsynchronousrectification ?100avalanchetested ?Superiorthermalresistance ?N-channel ?175°Crated ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 ?Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPT012N06N

Marking：012N06N；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPF012N06NF2S

Marking：012N06NS；Package：PG-TO263-7；StrongIRFETTM2 Power-Transistor

Features ?Optimizedforwiderangeofapplications ?N-channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多012N06N供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-21 15:14:00

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