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IPB019N08NF2S

Marking：019N08NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP019N08NF2S

Marking：019N08NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSC019N08NS5

Marking：019N08NS；Package：PG-TSON-8-3；MOSFET OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP019N08NF2S

Marking：019N08NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多019N08NS供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 17:37:00

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