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PB020NE7N3G

Marking：020NE7N；Package：PG-TO263-3；3Power-Transistor

Features Optimizedtechnologyforsynchronousrectification IdealforhighfrequencyswitchingandDC/DCconverters ExcellentgatechargeXRponProduct(FOM) Verylowon-resistanceRosen) N-channel,normallevel 100%avalanchetested Pb-freeplating;RoHScompliant Qualified

InfineonInfineon Technologies AG

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更多020NE7N供應(yīng)商 更新時間2025-3-21 14:00:00

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