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IPF031N13NM6

Marking：031N13N6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

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英飛凌英飛凌科技股份公司

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INFINEON/英飛凌
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更多031N13N6供應商 更新時間2025-3-21 15:14:00

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