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IPF031N13NM6

Marking：031N13N6；Package：PG-TO263-7；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100avalanchetested ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freeleadpla

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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更多031N13N6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-18 16:14:00

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