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SCT040W65G3-4

Marking：040W65G3；Package：HiP247-4；Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

Features ?VerylowRDS(on)overtheentiretemperaturerange ?Highspeedswitchingperformances ?Veryfastandrobustintrinsicbodydiode ?Veryhighoperatingjunctiontemperaturecapability(TJ=200°C) ?Sourcesensingpinforincreasedefficiency Applications ?Switchingmodepow

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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更多040W65G3供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 16:20:00

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