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ISC046N13NM6

Marking：046N13N6；Package：PG-TDSON-8；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 135 V

Features ?N-channel,normallevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?100%avalanchetestedg ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedformotordrivesandbatterypoweredapplications ?Pb-freele

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更多046N13N6供應商 更新時間2025-3-21 17:37:00

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