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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

40--4000MHz,19.5dB25dBmInGaPHBTGPA TheMMG3014NT1isageneralpurposeamplifierthatisinputandoutputinternallyprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom

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RFLDMOSWidebandIntegratedPowerAmplifiers

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HeterostructureFieldEffectTransistor(GaAsHFET)

250--4000MHz,12dB22.5dBmGaAsHFETGPA TheMMH3111NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputprematched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom

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更多06035J0R8BS供應(yīng)商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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