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06035J100GBS

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMA20312BVisa2--stagehighefficiency,ClassABInGaPHBTamplifierdesignedforuseasalineardriveramplifierinwirelessbasestationapplicationsaswellasanoutputstageinfemtocellorr

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

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06035J100GBSTR

Package：0603（1608 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電容器 薄膜電容器 描述：CAP THIN FILM 10PF 50V 0603

KYOCERA AVX

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06035J100GBSTR-500

包裝：卷帶（TR） 類別：電容器 薄膜電容器 描述：ACCU-F/P

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更多06035J100GBS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 15:01:00

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