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BSC060N10NS3G

Marking：060N10NS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOS3 Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

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更多060N10NS供應商 更新時間2025-3-22 10:20:00

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