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IPD068N10N3G

Marking：068N10N；Package：TO-252；100V N-Channel MOSFET

Features ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?(VGS=10V) ?VDS(V)=100V ?ID=90A ?RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

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更多068N10N供應(yīng)商 更新時間2025-2-2 9:30:00

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