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BSC070N10NS3G

Marking：070N10NS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features ?Verylowgatechargeforhighfrequencyapplications ?Optimizedfordc-dcconversion ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Qualifiedac

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多070N10NS供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 11:00:00

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