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GAN080-650EBE

Marking：080IEBE；Package：SOT8074-1；650 V, 80 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a DFN 8 mm x 8 mm package

1.Generaldescription TheGAN080-650EBEisageneralpurpose650V,80mΩGalliumNitride(GaN)FETinaDFN 8mmx8mmsurfacemountpackage.Itisanormally-offe-modedeviceofferingsuperior performance. 2.Featuresandbenefits ?Enhancementmode-normally-offpowerswitch ?Ultrah

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