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BSC080N12LS

Marking：080N12LS；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 3 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?150°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchronousrectification ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多080N12LS供應商 更新時間2025-2-5 9:30:00

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