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IPA082N10NF2S

Marking：082N10NS；Package：PG-TO220FullPAK；StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP082N10NF2S

Marking：082N10NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features ?Optimizedforawiderangeofapplications ?N-Channel,normallevel ?100avalanchetested ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPA082N10NF2S

Marking：082N10NS；Package：PG-TO220；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IPP082N10NF2S

Marking：082N10NS；Package：PG-TO220-3；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多082N10NS供應商 更新時間2025-2-13 15:10:00

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