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ISC104N12LM6

Marking：104N12L6；Package：PG-TDSON-8；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,logiclevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多104N12L6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 10:59:00

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