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ISZ106N12LM6

Marking：10612L6；Package：PG-TSDSON-8；OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 120 V

Features ?N-channel,logiclevel ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowreverserecoverycharge(Qrr) ?Highavalancheenergyrating ?175°Coperatingtemperature ?Optimizedforhighfrequencyswitchingandsynchronousrectification ?

InfineonInfineon Technologies AG

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更多10612L6供應商 更新時間2025-3-23 16:26:00

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