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3.0SMC11

Marking：11；Package：DO-214AB；Surface Mount Transient Voltage Suppressor Power 3000Watts

FEATURES Forsurfacemountedapplicationsinordertooptimizeboard space. Lowprofilepackage. Glasspassivatedjunction. Lowinductance. 3000Wpeakpulsepowercapabilityat10x1000uswaveform, repetitionrate(dutycycles):0.01 PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability.

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

7UL1T00FS

Marking：11；Package：fSV；CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic

FunctionalDescription ?2-InputNANDGatewithLevelShifting Features (1)Wideoperatingtemperaturerange:Topr=-40to125 (2)Operatingsupplyvoltagerange:VCC=2.3Vto3.6V (3)Thehigh-levelinputvoltageisuptranslationtothepowersupplyvoltage. (4)Thehigh-levelinput

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

7UL1T00FU

Marking：11；Package：USV；CMOS Digital Integrated Circuits Silicon Monolithic

FunctionalDescription ?2-InputNANDGatewithLevelShifting Features (1)Wideoperatingtemperaturerange:Topr=-40to125 (2)Operatingsupplyvoltagerange:VCC=2.3Vto3.6V (3)Thehigh-levelinputvoltageisuptranslationtothepowersupplyvoltage. (4)Thehigh-levelinput

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

D22V0H1U2LP-7B

Marking：11；Package：X1-DFN1006-2；22V UNI-DIRECTIONAL TVS DIODE

Features ?LowProfilePackage(0.53mmMax)andUltra-SmallPCBFootprintArea(1.08mm×0.68mmMax)SuitableforCompactPortableElectronics ?ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard:Air±30kV,Contact±30kV ?OneChannelofESDProtection ?LowChannelInputCapacitance ?Total

DIODES

Diodes Incorporated

LZ52C11W

Marking：11；Package：1206；SURFACE MOUNT ZENER DIODE

FEATURES ?Forsurfacemountedapplication ?Siliconepitaxialplanardiode ?Ultrasmallsurfacemountpackage ?Lowleakagecurrent ?2tolerancedeviceofVz ?Lead-FreeFinish;RoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)

DIODES

Diodes Incorporated

MMBD1501

Marking：11；Package：SOT-23；Small Signal Diodes

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NJW4104U3-05B

Marking：11；Package：SOT-89-3；45V Io=200mA Ultra low Quiescent current LDO

■FEATURES ●LowQuiescentCurrent5.5μAtyp.(Aversion) 5.0μAtyp.(Bversion) ●OperatingVoltage4.0Vto40V ●OperatingTemperatureTa=-40Cto125°C ●OutputVoltageAccuracyVO1.0(Ta=25C) VO2.0(Ta=-40Cto125°C) ●OutputCurrentIO(min.)=200mA ●ON/OFFControlAver.only ●Corres

NJRCNew Japan Radio

新日本無線株式會社

PBSS4160QA-Q

Marking：11；Package：DFN1010D-3；60 V, 1 A NPN low VCEsat transistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits ?Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapabi

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114TE

Marking：11；Package：SC-75；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open

Features *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PDTA114TT

Marking：11；Package：SOT23；PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kW, R2 = open

Features *100mAoutputcurrentcapability *Built-inbiasresistors *Simplifiescircuitdesign *Reducescomponentcount *Reducespickandplacecosts

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    110

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_差分放大器射極輸出 （Dual）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    6

  • 可代換的型號：

    FC110,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-23

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    11

  • 制造商：

    JKL Components Corp.

  • 類別：

    光電器件 > 燈 - 白熾燈，氖燈

  • 包裝：

    盒

  • 類型：

    白熾

  • 顏色：

    透明

  • 額定電壓：

    2.5V

  • 透鏡樣式：

    圓形，帶圓頂

  • 透鏡尺寸：

    RT-1 3/4

  • 引線樣式：

    楔形

  • 描述：

    LAMP INCAND RT-1.75 WEDGE 2.5V

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更多11供應(yīng)商 更新時間2025-1-21 10:30:00

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