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1214GN-120EL中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

1214GN-120EL
廠(chǎng)商型號(hào)

1214GN-120EL

功能描述

120W L-Band Radar GaN Power Transistor and Pallet Amplifier

文件大小

488.63 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Microsemi美高森美

中文名稱(chēng)

美高森美公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-28 8:31:00

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1214GN-120EL規(guī)格書(shū)詳情

Key Features

The following are the key features of the 1214GN-120E/EL/EP E-Series Earless/Eared GaN transistor products:

? 1200–1400 MHz, 120 W pulsed output power, 300 μS 10 pulsing

? Common source, Class AB, 50 V bias voltage

? High efficiency: >60 typical across the frequency band

? Extremely compact size

? High power gain: >16.8 dB

? Excellent gain flatness

? Ideal for radar, L-Band avionics, communications, and industrial applications

? Utilizes all-gold metallization and eutectic die attach for highest reliability

? 50 Ω IN/OUT lumped element, very small footprint, plug-and-play pallets available

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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只有原裝正品
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