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DESD1Z12

Marking：12M；Package：SOD-123；Plastic-Encapsulate Diodes

FEATURES Bi-directionalESDprotection Lowreversestand-offvoltage:12V Lowreverseclampingvoltage Lowleakagecurrent Fastresponsetime JESD22-A114-BESDRatingofclass3Bperhumanbodymodel IEC61000-4-2Level4ESDprotection

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

DESD3Z12

Marking：12M；Package：SOD-323；TVS Diode

Features ◆150Wattspeakpulsepower(tp=8/20μs) ◆Transientprotectionforhighspeeddatalinesto IEC61000-4-2(ESD)±15kV(air),±8kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) ◆ProtectsOnePowerorI/OPort ◆Lowleakagecurrent ◆Lowoperatingandclampingvoltages ◆Solid-stat

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SM12

Marking：12M；Package：SOT-23；ESD PROTECTION

Features ?ForSensitiveESDProtection ?ExcellentClampingCapability ?LowLeakage ?FastResponse,ResponseTimeLessthan1ns ?MoistureSensitivityLevel1 ?EpoxyMeetsUL94V-0FlammabilityRating ?HalogenFree.“Green”Device(Note1) ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffix

SAMYANGSAMYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

三陽電子三陽電子有限公司

SM12T1G

Marking：12M；Package：SOT-23；2-Line Uni-directional TVS Diode

Features 450Wpeakpulsepower(8/20s) Protectsonebi-directionalortwouni-directionallines Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:12V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV/ Contactdischarge:+30kV —I

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

GSOT12C

Marking：12M；Package：SOT23；TVS Diode Array

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

IMBG120R008M2H

Marking：12M2H008；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=144AatTC=100°C ?RDS(on)=7.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R012M2H

Marking：12M2H012；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=102AatTC=100°C ?RDS(on)=12.2mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstpara

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R017M2H

Marking：12M2H017；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=76AatTC=100°C ?RDS(on)=17.1mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R022M2H

Marking：12M2H022；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=62AatTC=100°C ?RDS(on)=21.6mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R026M2H

Marking：12M2H026；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=53AatTC=100°C ?RDS(on)=25.4mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparas

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    12M

  • 功能描述：

    _

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
進(jìn)口原裝
23+
SMD
40679
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價
2020+
5000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON/安森美
23+
SOT23-3
15000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
 詢價
22+
DIP
78236
原裝正品現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
YXC
2023
5032
2580
原廠代理渠道,正品保障
 詢價
原廠原裝
13+
4990
原裝分銷
 詢價
IR
100
原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠
 詢價
美晶
15+
XTAL_3225
10000
原裝現(xiàn)貨價格有優(yōu)勢量大可以發(fā)貨
 詢價
GEN
23
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu)
 詢價
CEM
24+
SMD-8
50000
詢價
更多12M供應(yīng)商 更新時間2025-1-25 9:18:00

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