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12M1H060

CoolSiC??1200V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

Features ?Verylowswitchinglosses ?Threshold-freeonstatecharacteristic ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.5V ?0Vturn-offgatevoltageforeasyandsimplegatedrive ?FullycontrollabledV/dt ?Robustbodydiodeforhardcommutation ?Temperatureindependentturn-offs

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多12M1H060供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 16:30:00

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