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IMBG120R181M2H

Marking：12M2H181；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=10.5AatTC=100°C ?RDS(on)=181.4mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstpa

InfineonInfineon Technologies AG

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更多12M2H181供應(yīng)商 更新時間2025-3-22 8:24:00

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