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IMBG120R116M2H

Marking：12M2H234；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=15AatTC=100°C ?RDS(on)=115.7mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstpara

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBG120R234M2H

Marking：12M2H234；Package：PG-TO263-7-HV-ND5.8；CoolSiC? 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDDC=6.2AatTC=100°C ?RDS(on)=233.9mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?OverloadoperationuptoTvj=200°C ?Shortcircuitwithstandtime2μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstpar

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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全新原裝 貨期兩周
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Osram / Sylvania- Inc.
2022+
234
全新原裝 貨期兩周
 詢(xún)價(jià)
更多12M2H234供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-22 8:24:00

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