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12N03L.	文件：960.51 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)12mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03H	文件：218.65 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03HR	文件：218.4 Kbytes Page：6 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID25A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03V	文件：216.35 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID18.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS30V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID9A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IPD12N03L	文件：152.22 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries Feature ?N-Channel ?LogicLevel ?LowOn-ResistanceRDS(on) ?ExcellentGateChargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Avalancherated ?dv/dtrated ?Idealforfastswitchingbuckconverters	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPD12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Package Marking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPF12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Package Marking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPS12N03LBG	文件：417.34 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Package Marking ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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PJ12N03D	文件：151.1 Kbytes Page：4 Pages	25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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SSG12N03	文件：920.05 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
SSG12N03	文件：479.72 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
YJS12N03A	文件：642.42 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 揚(yáng)州揚(yáng)杰電子揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司	YANGJIE

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天津市博通航睿技術(shù)有限公司	12N03LAF101	INFINEON	23+	TO252	7000		詢價(jià)
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