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DE150-201N09A

RFPowerMOSFET

N-ChannelEnhancementMode LowQgandRg Highdv/dt NanosecondSwitching Features ?IsolatedSubstrate ?highisolationvoltage(>2500V) ?excellentthermaltransfer ?Increasedtemperatureandpowercyclingcapability ?IXYSadvancedlowQgprocess ?Lowgatechargeandcapa

IXYS

IXYS Corporation

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一站配齊 原盒原包現(xiàn)貨 朱S Q2355605126
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更多150-201N09AIC供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 15:22:00

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