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IMWH170R450M1

Marking：170M1450；Package：PG-TO247-3-STD-NN4.8；CoolSiC? 1700 V SiC Trench MOSFET

Features ?VDSS=1700VatTvj=25°C ?IDDC=10AatTC=25°C ?RDS(on)=450mΩatVGS=12V,Tvj=25°C ?Optimizedforfly-backtopologies ?12V/0Vgate-sourcevoltagecompatiblewithmostfly-backcontrollers ?Verylowswitchinglosses ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(t

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

IMBF170R450M1

Marking：170M1450；Package：PG-TO263-7；CoolSiC??1700V SiC Trench MOSFET Silicon Carbide MOSFET

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多170M1450供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 13:00:00

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