GOGOGO高清在线观看,亚洲毛片

首頁(yè) >180N10N>規(guī)格書列表

零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
180N10N	文件：299.61 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features ?N-channel,normallevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?Idealforhigh-frequencyswitchingandsynchr	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
FIR180N10PG	文件：3.98832 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR180N10RG	文件：3.65918 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HRD180N10K	文件：989.45 Kbytes Page：9 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRD180N10K	文件：1.64749 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
HRLF180N10K	文件：223.81 Kbytes Page：7 Pages	100AvalancheTested	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRLO180N10K	文件：241.03 Kbytes Page：7 Pages	HighDenseCellDesign	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HRP180N10K	文件：921.24 Kbytes Page：8 Pages	100VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IXFE180N10	文件：78.29 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET-TMPowerMOSFET HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features ?ConformstoSOT-227Boutline ?EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance ?	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：144.35 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN180N10	文件：524.44 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·DC-DCConverters ·SynchronousRectification ·LowVoltagerelays ·BatteryChargers	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFN180N10	文件：84.32 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETSingleMOSFETDie HiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ?InternationalStandardPackage ?miniBLOC,withAluminiumNitrideIsolation ?Dynamicdv/dtRating ?AvalancheRated ?FastIntrinsicRectifier ?LowRDS(on) ?LowDrain-to-TabCapacitan	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：33.22 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247 VDSS=100V ID25=165A RDS(on)=8m? trr≤250ns SingleMOSFETDie Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowdraintotabcapacitance(	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFR180N10	文件：330.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：368.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IXFX180N10	文件：154.87 Kbytes Page：5 Pages	HiperFETPowerMOSFETs	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX180N10	文件：111.52 Kbytes Page：4 Pages	SingleMOSFETDie VDSS=100V ID25=180A RDS(on)≤8mΩ SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features InternationalStandardPackages HighCurrentHandlingCapability AvalancheRated LowRDS(on)HDMOSTMProcess Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N10T	文件：160.56 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMV?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features ?Ultra-lowOnResistance ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?175°COperatingTemperature Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?High	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA180N10T	文件：300.11 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

12 >>>

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳兆威電子有限公司	180N10N	INFINEON	23+	TO262	200	原裝環(huán)保房間現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)
深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	180N10N	INFINEON	1249+	TO262	200	剛到現(xiàn)貨加微13425146986	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	180N10N	I	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	180N10N	I	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價(jià)
深圳市匯萊威科技有限公司	180N10N		VB	TO-252	608900	原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	180N10N	I	23+	TO-252	8400	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	180N10N	I	23+	TO-252	8400	專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	180N10N	I	24+	TO-252	12300	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	180N10N(IPA180N10N3)	INFINEON/英飛凌	2022+		90	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)盛芯科技有限公司	180N10NMOS(場(chǎng)效應(yīng)管)	17	24+	TO-252	3000	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多180N10N供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-27 17:10:00

相關(guān)規(guī)格書

相關(guān)庫(kù)存