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BMI-S-203-C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻屏蔽描述：RF SHIELD 1.05\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMI-S-203-C-20	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：托盤類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻屏蔽描述：RF SHIELD 1.048\	Laird Technologies EMI Laird Technologies EMI	Laird Technologies EMI
BMIS-203-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BR203	文件：616.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
BR203	文件：617.11 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
BSH203	文件：149.08 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing.TheBSH203issuppliedintheSOT23subminiaturesur	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH203	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BSH203	文件：236.36 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSO203P	文件：82.89 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203PH	文件：321.44 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203SP	文件：92.17 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203SPH	文件：303.12 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BT203	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BU203DL	文件：117.62 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶導(dǎo)深圳市晶導(dǎo)電子有限公司	JINGDAO
BUJD203A	文件：341.3 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Fastswitching ■Highvoltagecapability ■Integratedanti-parallelE-Cdiode ■Verylowswitch	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BUJD203A	文件：1.06409 Mbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?Verylowswitch	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AD	文件：300.02 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT428(DPAK)surface-mountableplasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AX	文件：209.36 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BUJD203AX	文件：784.69 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?Isol	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUP203	文件：393.42 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BMI-S-203-C
制造商：
Laird Technologies EMI
類別：
RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻屏蔽
系列：
SMT 2 Piece
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
類型：
蓋
高度 - 總體：
0.079"（2.00mm）
長度 - 總體：
1.050"（26.67mm）
寬度 - 總體：
1.050"（26.67mm）
通風(fēng)：
通風(fēng)孔，按樣式排列
安裝類型：
卡入式
描述：
RF SHIELD 1.05\

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多BMI-S-203-C供應(yīng)商更新時間2024-12-31 22:30:00

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