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BMIS-203-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	Microwave Absorber Microwave Absorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BR203	文件：616.67 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
BR203	文件：617.11 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor12VSystemIntermediateBus Description TheBR202andBR203arethintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. Theycanbeusedasdesign-freePOLconvertersfora12Vsystemintermediatebus.Theycan	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社	Sanken
BSH203	文件：149.08 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing.TheBSH203issuppliedintheSOT23subminiaturesur	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH203	文件：122.93 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BSH203	文件：236.36 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSO203P	文件：82.89 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203PH	文件：321.44 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203SP	文件：92.17 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS-PSmall-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BSO203SPH	文件：303.12 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOSP-Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BT203	文件：36.59 Kbytes Page：2 Pages	DC/DCConverters	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分類制造商	ETC
BU203DL	文件：117.62 Kbytes Page：3 Pages	BipolarJunctionTransistor	JINGDAOShenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd 晶導(dǎo)深圳市晶導(dǎo)電子有限公司	JINGDAO
BUJD203A	文件：341.3 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Fastswitching ■Highvoltagecapability ■Integratedanti-parallelE-Cdiode ■Verylowswitch	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BUJD203A	文件：1.06409 Mbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT78(TO220AB)plasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?Verylowswitch	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AD	文件：300.02 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT428(DPAK)surface-mountableplasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUJD203AX	文件：209.36 Kbytes Page：14 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BUJD203AX	文件：784.69 Kbytes Page：13 Pages	NPNpowertransistorwithintegrateddiode Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT186A(TO220F)fullpackplasticpackage. Featuresandbenefits ?Fastswitching ?Highvoltagecapability ?Integratedanti-parallelE-Cdiode ?Isol	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BUP203	文件：393.42 Kbytes Page：7 Pages	IGBT(LowforwardvoltagedropHighswitchingspeedLowtailcurrentLatch-upfreeAvalancherated)	SIEMENSSiemens Ltd 西門子德國西門子股份公司	SIEMENS
BVND-M203GT	文件：122.26 Kbytes Page：2 Pages	EinteiligeUniversalarmaturgerade,metrischOne-pieceUniversalConnectionstraight,metric	ABBabb ABB集團(tuán)ABB（中國）有限公司	ABB
BY203	文件：33.72 Kbytes Page：3 Pages	SiliconMesaRectifiers FEATURES ?Glasspassivatedjunction ?Hermeticallysealedpackage APPLICATIONS ?FastrectificationandswitchingavalanchesinterglassdiodeforTV-lineoutputcircuitsanswitchmodepowersupply?	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BMIS-203-F
功能描述：
EMI 墊圈與接地墊 BMIS-203 Frame Frame 1.032x1.032
RoHS：
否
制造商：
Gore
長度：
8 mm
寬度：
2.5 mm
厚度：
2.4 mm
產(chǎn)品類型：
Pads

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	BMIS-203-F	LAIRD	17+	原廠原封	6010	只做原裝正品	詢價(jià)
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更多BMIS-203-F供應(yīng)商更新時(shí)間2024-10-27 14:26:00

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