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BFR193

NPNSiliconRFTransistor

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BFR193

NPNBipolarRFTransistor

NPNBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,NFmin=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available

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LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor

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NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz,F=1dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package1) ?QualifiedaccordingAECQ101 *Shorttermdescription

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

Features ?Lownoisefigure ?HightransitionfrequencyfT=8GHz ?Excellentlarge-signalbehaviour ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ??Forlow-noise,high-gainapplicationssuchaspoweramplifiersupto2GHzandf

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威世科技威世科技半導(dǎo)體

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NPNSiliconRFTransistor

NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHz F=1.3dBat900MHz

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SiliconNPNPlanarRFTransistor

Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages. Feature

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    193R,AL

  • 制造商：

    Serpac

  • 類別：

    盒子，外殼，機(jī)架 > 箱

  • 系列：

    S

  • 包裝：

    散裝

  • 容器類型：

    盒

  • 大小 / 尺寸：

    9.500" 長 x 6.340" 寬（241.30mm x 161.04mm）

  • 高度：

    2.500"（63.50mm）

  • 面積 (L x W)：

    60.2in2（388cm2）

  • 設(shè)計(jì)：

    手持，分叉式雙側(cè)

  • 材料：

    塑料 - ABS

  • 顏色：

    杏仁色

  • 厚度：

    0.100"（2.54mm）

  • 特性：

    正面檢修，PCB 支座

  • 等級：

    IP40，NEMA 1

  • 材料可燃性等級：

    UL94 HB

  • 描述：

    BOX ABS ALMOND 9.500\

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多193R,AL供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-27 16:06:00

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